25 mei 2005

Infineon, Macronix en IBM hebben een project
in het leven geroepen om te onderzoeken of faseverandering van
materialen gebruikt kan worden als opslagmethode. Bij die methode maakt
men gebruik van veranderingen in structuur die sommige materialen
ondergaan bij snelle verhitting. Aan de reflectie van laserlicht is af
te lezen of het materiaal op de belichte plek dankzij het al of niet
verhitten een amorfe of een kristallijne structuur heeft.

Voordeel van de onderzochte techniek is, dat de staat van het geheugen
niet zoals bij de huidige opslagmethoden afhankelijk is van relatief
vergankelijke elektrische ladingen of de dito magnetische veldrichting.
Daar staat tegenover dat de materialen bij frequente faseverandering
kunnen slijten.
Het project is bedoeld om te onderzoeken of met materialen die gevoelig
zijn voor faseverandering geheugens te bouwen zijn die sneller werken,
minder energie vergen en compacter te maken zijn dan nu met
elektronische geheugens mogelijk is. IBM en Infineon zijn overigens
niet de enige die dit onderzoeken. Ook Intel en STMicroelectronics doen
onderzoek naar de mogelijkheden van faseverandering van materialen voor
opslagdoeleinden.
Het project maakt onderdeel uit van een bestaand samenwerkingsprogramma
tussen IBM en Infineon. In dat kader doen IBM en Infineon ook onderzoek
naar andere denkbare opslagtechnieken, zoals de mogelijkheid om de
magnetische eigenschappen van elektronen te benutten voor het opslaan
van gegevens.